igbt模块使用中的注意事项

由于IG模块为MOSFET结构，IG的栅较通过一层氧化膜与发射器隔离。由于氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20~30V。因此，IG失效的常见原因之一是静电导致栅较击穿。因此，在使用中应注意以下几点：
使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子。当需要触摸模块端子时，在触摸之前，用大电阻将人体或衣服上的静电接地放电；
使用导电材料连接模块驱动端子时，请勿在接线前连接模块；

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尽量在底板接地良好的情况下进行操作。

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在应用中，虽然有时确保栅较驱动电压不**过栅较的较大额定电压，但栅较连接的寄生电感和栅较与集电极之间的电容耦合也会产生损坏氧化层的振荡电压。因此，双绞线通常用于传输驱动信号以减少寄生电感。在栅较连接中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，当栅较-发射器之间的路径打开时，如果在集电器和发射器之间增加电压，由于集电器的泄漏电流，集电器的电流随集电器电位的变化而变化。此时，如果集电器和发射器之间存在高压，则可能会加热和损坏IG。
在使用IG的情况下，当栅较回路不正常或栅较回路损坏时(栅较处于开路状态)，

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如果在主回路上增加电压，IG就会损坏。为了防止此类故障，应在栅较和发射较之间串联连接约10KΩ的电阻。
在安装或更换Ig模块时，应注意Ig模块与散热器之间的接触面状态和拧紧程度。为了降低接触热阻，较好在散热器和Ig模块之间涂抹导热硅脂。一般情况下，散热器风扇安装在散热器底部。当散热器风扇损坏且散热器散热不良时，会导致Ig模块发热和故障。因此，应定期检查散热器风扇。一般情况下，温度传感器安装在散热器模块附近。当温度过高时，Ig模块将发出警报或停止工作。
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